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Inverter system

APM永源微电子针对逆变器市场,开发从平面,沟槽,SGT等全系列,对标传统平面和沟槽的IRF的产品系列,以及SGT S3英飞凌SGT工艺平台,全方面适用和匹配。APM实现全工艺覆盖适配:平面工艺,沟槽工艺,SGT II 三大工艺平台,优化产品结构在当前状态下,是国内唯一一家实现平面,沟槽,SGT II 三大平台都齐全的功率器件半导体公司。封装形式,覆盖TO247-3L,TO263-6L,TO220-3L...

下图为APM190N15P 部分测试数据

电控电机MOS时效常见问题:

1、在多管并联的应用电路中,极其容易因为上下管开启电压离散型过大导致MOS失效。
2、MOS耐压设计余量不足,为了追求极致内阻,BVDSS余量偏低。通过上述数据可以看出,APM通过优化工艺,可以有效实现将开启电压一致性控制在0.2V一个档位,满足客户超过6管的应用电路,最高可以满足10个一组合计6组并联使用。

应用领域 型号 参数 封装 量产情况
48V-60V电控 AP120N08P/T 120A 85V 4.5mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
48V-60V电控 AP180N08P/T 180A 85V 2.9mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
72V电控 AP160N10P/T 160A 100V 3.6mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
72V电控 AP200N10P/T 200A 100V 1.9mΩ TO220-3L/TO263-3L 2022年8月
72V电控 AP120N12P/T 120A 120V 6.5mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
72V电控 AP200N12P/T 200A 120V 3.7mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
110V电控 AP190N15P/T 190A 150V 6.5mΩ TO220-3L/TO263-3L 量产
110V电控 AP190N15P/T(HC) 190A 150V 6.5mΩ TO220-3L/TO263-3L 2022年8月

• HC表示高可靠性工艺,满足车规流程和质量管控。